El estudio, publicado en Nature Physics, representa un importante paso hacia la creación de equipos electrónicos con propiedades manipulables.
Gracias a sus propiedades, los materiales bidimensionales son la base de los elementos para los equipos electrónicos compactos de nueva generación. Por ejemplo, el disulfuro de molibdeno bidimensional (MoS2) se caracteriza por una alta movilidad electrónica y control de 'Todo/Nada' en el elemento de transistor. Todo ello permitirá aumentar notablemente la velocidad de funcionamiento de los equipos electrónicos fabricados con él.
"Las características ópticas exclusivas de monocapas de los materiales como disulfuro de molibdeno y diseleniuro de wolframio (WSe2) son definidas por los excitones: parejas enlazadas electrón-hueco (cuasipartícula portadora de la carga positiva)", explica el catedrático de la MISIS Gotthard Seifert.
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La creación de la heteroestructura MoS2/WSe2 mediante la superposición de las monocapas individuales conduce a la aparición del excitón de nuevo tipo, donde el electrón y el hueco están espacialmente separados en diferentes capas.
"Gracias al uso de los métodos de espectroscopia y química cuántica de los primeros principios, conseguimos localizar la pareja parcialmente cargada de electrón y el hueco en MoS2/WSe2. Pudimos controlar la energía de irradiación del nuevo excitón cambiando la orientación relativa de las capas", aclara Seifert.
Según Seifert, su equipo planea investigar de qué manera la rotación de las capas influye en las propiedades electrónicas de los materiales y los componentes que se fabriquen a partir de ellos: elementos de paneles solares, transistores y otros.
