https://latamnews.lat/20200901/desarrollan-nuevos-paneles-solares-con-eficiencia-record-en-rusia-1092607231.html
Desarrollan nuevos paneles solares con eficiencia récord en Rusia
Desarrollan nuevos paneles solares con eficiencia récord en Rusia
Sputnik Mundo
MOSCÚ (Sputnik) — Una nueva tecnología de células fotovoltaicas que permite elevar la eficiencia de los paneles solares hasta valores récord fue desarrollada... 01.09.2020, Sputnik Mundo
2020-09-01T14:17+0000
2020-09-01T14:17+0000
2021-02-11T16:51+0000
https://cdn.img.latamnews.lat/img/07e4/09/01/1092607257_0:0:3384:1915_1920x0_80_0_0_2fc4f89c86c642ff5e0ec526d732af2a.jpg
volgogrado
Sputnik Mundo
contacto@sputniknews.com
+74956456601
MIA „Rosiya Segodnya“
2020
Sputnik Mundo
contacto@sputniknews.com
+74956456601
MIA „Rosiya Segodnya“
Noticias
es_ES
Sputnik Mundo
contacto@sputniknews.com
+74956456601
MIA „Rosiya Segodnya“
https://cdn.img.latamnews.lat/img/07e4/09/01/1092607257_51:-1:3309:2048_1920x0_80_0_0_24db9788852b8d4d83d5fb0f5680d796.jpgSputnik Mundo
contacto@sputniknews.com
+74956456601
MIA „Rosiya Segodnya“
medioambiente, sociedad, noticias, volgogrado, rusia
medioambiente, sociedad, noticias, volgogrado, rusia
Desarrollan nuevos paneles solares con eficiencia récord en Rusia
14:17 GMT 01.09.2020 (actualizado: 16:51 GMT 11.02.2021) MOSCÚ (Sputnik) — Una nueva tecnología de células fotovoltaicas que permite elevar la eficiencia de los paneles solares hasta valores récord fue desarrollada en la Universidad de Electrotécnica de San Petersburgo, informó la institución a Sputnik.
"La innovación fue propuesta por el profesor (...) Alexandr Gudovskij", indicó la universidad en un comunicado.
La tecnología está basada en los sustratos de silicio crecidos con una combinación de técnicas, entre ellas la epitaxia híbrida, explica la entidad.
31 de julio 2020, 13:31 GMT
Gudovskij precisó que los procesos actuales requieren temperaturas muy altas (900-1.000 ºC).
"La nueva tecnología reduce la temperatura del crecimiento epitaxial de sulfuro de galio sobre un sustrato de silicio hasta 600-750 ºC", apuntó el autor de la innovación.
Los resultados de la investigación fueron publicados en la revista Physica Status Solidi (A) Applications and Materials.