Científicos estadounidenses desarrollaron un método para producir nanoláseres sobre una superficie de silicio, avance que allana el camino a una nueva generación de microprocesadores más rápidos y eficaces, así como a potentes sensores bioquímicos que usan chips optoelectrónicos, según un artículo publicado en la revista Nature Photonics.
Connie Chang-Hasnain, profesora de la Universidad Berkeley en California y principal autora del artículo, señaló que el resultado de ese estudio “repercute en un amplio abanico de asignaturas, incluidas la ciencia de materiales, tecnología de transistores, láseres, optoelectrónica y física óptica”.
El objetivo del estudio era integrar la producción de semiconductores compuestos III-V, que poseen excelentes características de transporte de electrones, dentro de la infraestructura existente del silicio, que sigue siendo el pilar de la electrónica moderna pero presenta limitaciones para generar luz.
Investigadores de Berkeley se las ingeniaron para que nanoláseres de arseniuro de indio-galio (InGaAs), que son semiconductores III-V, crezcan sobre una superficie de silicio a una temperatura de 400 grados centígrados, lo relativamente baja para preservar las propiedades electrónicas del material.
Chang-Hasnain manifestó que el estudio podría “catalizar una revolución optoelectrónica en computación, comunicaciones, pantallas y procesamiento de señales ópticas”. Su colega, Roger Chen, destacó por su parte que el método abre una vía para crear nuevos dispositivos nanofotónicos, tales como láseres, fotodetectores, moduladores y células fotoeléctricas.
